瑞薩電子與台積電攜手40奈米製程技術合作

2012 年 05 月 29 日

瑞薩電子(Renesas Electronics)與台積電共同宣布,雙方已簽署協議,擴大在微控制器(MCU)技術方面的合作至40奈米嵌入式快閃記憶體(eFlash)製程,以生產應用於下一世代汽車及家電等消費性產品的微控制器。
 



瑞薩電子資深副總岩元伸一表示,歷經日本大地震衝擊多條生產線與客戶業務之後,瑞薩已加快晶圓廠網路(Fab Network)的布建,成為公司營運持續計畫的一環。藉由此次和台積電的合作,將為客戶建造穩定供貨的架構,致力為MCU打造一個設計生態環境。
 



台積電全球業務暨行銷資深副總經理陳俊聖指出,瑞薩電子是微控制器市場的領導廠商之一,這次合作將協助提供瑞薩電子新產品推出時所需的效能,滿足瑞薩客戶對品質及可靠性的期待。
 



瑞薩電子先前已同意採用台積電90奈米嵌入式快閃記憶體製程,為該公司生產微控制器,在此40奈米微控制器合作案中,瑞薩電子將委託台積電生產40奈米及更先進製程的微控制器。
 



瑞薩電子與台積電將共同合作在MCU平台與製造所需的先進技術上取得領先地位,結合瑞薩電子支援高可靠性及高速優勢的金屬氧化氮氧化矽(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon, MONOS)技術與台積電高品質技術的支援,包括先進的互補金屬氧化物半導體(CMOS)製程與靈活的產能調度。
 



此外,藉由將此MONOS製程平台提供給遍布全球的其他半導體供應商,包括無晶圓廠(Fabless)及整合元件製造商(IDM),瑞薩電子與台積電將致力於建置一個設計生態環境,並擴大客戶群。
 



基於雙方長久以來穩固的合作關係,台積電提供瑞薩電子具有成本效益且可靠的製程能力,將快閃記憶體整合於單一微控制器上。
 



相較於目前的90奈米製程,採用40奈米製程生產的微控制器產品具備更高速、更低功耗的優勢,且晶片尺寸縮小逾50%,這些特性對於整合型微控制器的設計格外重要,該設計將邏輯晶片、記憶體、及其他系統零組件壓縮至極小的面積上。
 



瑞薩電子網址:www.tw.renesas.com

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