半導體製造商羅姆(ROHM)株式會社全新推出創業界新低導通電阻高耐壓型功率互補式金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)–R5050DNZ0C9(500V/50A/typ,34mΩ max45mΩ)，適合太陽能發電系統的功率調節器使用。該產品採用高散熱性的TO24PLUS封裝，已自9月中旬起開始樣品出貨，2011年12月起開始進行量產。
隨著節能議題愈來愈受到關注，其中，太陽能發電可謂是最具代表性的可回收能源，因此使得該市場在近年來不斷地成長擴張。因此，像是藉由改善功率轉換效率以達到節能效果，或是能降低損耗等，此類發電系統所使用的功率調節器對於功率MOSFET之要求也隨之愈來愈高。ROHM運用傳統的多層磊晶生長(epitaxial growth)方式，以垂直型pn接合多個並排的超接合(Super Junction)結構功率MOSFET，達到高效率目標。但此種方式所需的製程較複雜，因此在細微化以及生產性的提升上便成為難題。
本次羅姆採用可一次讓垂直型p型埋層成長的矽深掘蝕刻技術，並藉由細微化與不純物濃度之最佳化的技術，導通電阻成功降低47%(與傳統產品相比)，最適合容易受到低導通電阻影響的轉換器使用，另外搭配ROHM的快速回復二極體或碳化矽蕭特基二極體，亦可使用於變頻器等產品。本產品可大幅降低功率轉換時所造成的損耗，如此便能有效提高太陽能的發電效率，除此之外，為了滿足各種不同的電路需求，ROHM還計畫利用此一技術來研發具備更高耐壓特性的產品系列「PrestoMOS」。
羅姆網址：www.rohm.com.tw
