英飛凌(Infineon)宣布推出SiC(碳化矽)MOSFET技術，讓產品設計達到較佳的功率密度和效能水平。該公司的CoolSiC MOSFET在提升效率與頻率上，提供更高的靈活度，協助功率轉換配置的開發人員達到節省空間和重量、減少冷卻需求、提升可靠性並縮減系統成本。
SiC MOSFET功能的功率轉換配置運作時所使用的切換頻率，可達現今所使用之三倍或更高，其帶來的好處能減少磁性元件和系統外殼製造材料中的銅與鋁含量，有助於製造出更小及更輕的系統，以減少運輸需求，也更容易安裝。功率轉換應用的設計人員更能創造出節能的新解決方案，並在全新範疇中運用效能、效率和系統彈性。
新款1200V SiC MOSFET經過優化能兼顧可靠性和效能。其運作時的動態損耗比 1200V Si IGBT降低了一個數量級，可從根本上更為優化的系統，應用包括：光電逆變器、不斷電系統(UPS)或充電器/儲存系統等，而之後也將延伸至工業馬達應用。
該公司也同時推出採用SiC MOSFET技術的1200V Easy1B半橋式與升壓器模組，由於結合PressFIT連線與良好的散熱介面、極低的離散電感與堅固設計，因此每個模組皆提供11mΩ和23mΩ兩種額定RDS(ON)選項。
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