英飛凌(Infineon)針對諧振應用擴充最新一代逆導絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)，內建單片整合RC二極體的全新650伏特(V)產品，使高效能RC-H5產品系列可以運用於更廣泛的應用範圍。全新離散式RC-H5 650伏特功率半導體是多爐電磁爐及變頻微波爐應用的理想選擇，適用於所有部份硬式切換半橋拓撲。
英飛凌IGBT功率離散式元件行銷協理Roland Stele表示，電磁爐在家電應用中擁有巨大的節能潛力。全新分離式RC-H5 650V產品，可擴充家電應用範圍，協助客戶開發出只需較少資源就能達到高度可靠性的系統。
新推出的的離散式650伏特功率半導體比前世代產品擁有更良好的能源效率，切換損耗進一步降低30%，讓設計人員可以使用高達40kHz的切換頻率工作。整體而言，全新設計的離散式功率半導體具有更好的能源效率特性，可讓整體系統節省5%的能源消耗。
採用RC-H5 650伏特產品操作的系統，由於增加阻斷電壓，可靠度大幅提升，提供更多的設計裕度。650伏特產品能夠依據要求提供軟式或硬式切換，不僅使用上更加靈活，同時整體系統也有較低的應變。
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