英飛凌全新封裝IGBT電流高達120安培

2014 年 12 月 08 日

英飛凌(Infineon)推出TO-247PLUS封裝絕緣閘雙極電晶體(IGBT),為旗下高功率應用的獨立IGBT產品再添新兵。新封裝可納入電流達120安培(A)的IGBT與全額定電流二極體,且尺寸不變,腳位與符合JEDEC標準的TO-247-3相容。


新產品適用於工業應用,例如不斷電系統(UPS)、焊接、太陽能及工業馬達,也適合汽車的動力系統逆變器等之應用,可將現有設計升級,獲得更高功率的輸出或者改善應用的散熱情況,進而提升系統可靠度和使用壽命;此外,更支援更高的電流,可減少並聯的裝置數量,讓產品設計能更加精簡。


值得注意的是,新封裝可以用夾扣或施壓方式安裝在散熱片上,這些安裝方式確保對封裝施予的壓力平均,即使在強烈震動和機械撞擊下,仍有較好的熱導率和更高的機械穩定性。


該封裝沒有安裝孔,比起標準TO-247封裝可容納的矽晶片區域大了70%,另外,導熱片面積增加26%,與標準TO-247相比,可降低熱阻Rth(jh)達 20%。


新款封裝體上有獨特的「塑膠管腳」,可增加沿面距離至4.25毫米(mm),較TO-247-3長2毫米。;其特殊塑膠化合物對夾扣施力的誤差低,且新的打線可讓DC集極電流從80安培增加至160安培,提高IGBT的穩定性並延長使用壽命。


英飛凌網址:www.infineon.com

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