英飛凌解決SMPS地電位偏移問題

2018 年 09 月 27 日

在開關式電源供應器(SMPS)中,每次導通或截止功率MOSFET的過程中,寄生電感會造成地電位的偏移。這可能導致閘極驅動IC不受控制的切換行為。在極端情況下,可能導致功率MOSFET電氣過載以及SMPS故障。為解決此問題,英飛凌旗下 EiceDRIVER系列推出單通道低側閘極驅動IC 1EDN7550與1EDN8550,具有真正的差分輸入控制,可有效防止功率MOSFET誤觸發。1EDN7550與1EDN8550適用於工業、伺服器及電信SMPS以及無線充電應用、電信DC-DC轉換器,以及電動工具。

 

EiceDRIVER 1EDN7550與1EDN8550具±70V最高抗靜態接地偏移的能力,在最高±150V的動態接地偏移之下仍可保證安全運作,且毋須切斷接地迴路。由於該款閘極驅動IC具有真正的差分輸入判斷,因此只有兩個輸入之間的電壓差值會對閘極驅動IC的切換行為產生決定性作用。1EDNx550 EiceDRIVER非常適合控制具有Kelvin源極接點的功率MOSFET。這些閘極驅動IC提供非常充足的抗接地偏移能力,不受功率MOSFET的寄生源極電感造成的地電位偏移影響。相較於電氣隔離型閘極驅動IC,這些單通道低側閘極驅動IC具更佳的成本優勢以及節省更多的空間。

 

此外,1EDNx550系列是具成本效益的解決方案,適用於控制IC(提供控制訊號至閘極驅動IC)到閘極驅動IC之間具有很長的走線距離的應用。這可能是因為產品設計的需求、所選擇的印刷電路板技術,或控制小卡的概念。上述情況的共通點為,寄生地迴路電感是造成控制IC與閘極驅動IC之間發生地電位偏移的原因。1EDNx550系列能夠解決上述挑戰,並可縮短產品開發時間。

標籤
相關文章

快捷擴大MOSFET系列產品陣容

2012 年 08 月 20 日

凌力爾特發表同步降壓DC-DC控制器

2013 年 11 月 06 日

凌力爾特DC-DC控制器為汽車輕鬆省油

2015 年 03 月 09 日

凌力爾特推出軍事級返馳DC-DC控制器

2015 年 03 月 31 日

Diodes推出工業級碳化矽MOSFET

2023 年 04 月 21 日

Littelfuse推出汽車級PolarP P通道功率MOSFET

2023 年 11 月 01 日
前一篇
揮軍臉部辨識市場 歐司朗首款VCSEL產品亮相
下一篇
ST GNSS模組採用Teseo晶片