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| Rambus行銷副總裁Tim Messegee表示，Rambus透過突破性創新行動記憶體技術的研發，支援多元化的行動應用，提供終端使用者更豐富的使用體驗。 |
Rambus行銷副總裁Tim Messegee分析，隨著電腦、行動裝置與消費性電子界線日漸模糊，未來無論是消費性電子產品或行動裝置所被賦予的功能更趨多元，對於提高記憶體頻寬的需求將更加殷切，預估記憶體頻寬將由2009年的1Gbit/s快速增長至2011年高達12Gbit/s。
Rambus新一代記憶體技術採用極低擺幅差動訊號(Very Low-Swing Differential Signaling)技術，結合差動架構中穩固的訊號品質和創新的電路技術，大幅降低主動功率消耗，因此可達到高傳輸速率和低記憶體介面功耗；另外FlexColocking時脈架構為一時脈前送和時脈分配拓撲，可實現高速運作和簡化的記憶體介面；以及搭配先進電源狀態管理(APSM)，可提供省電模式之間的快速轉換時間，並可在不同使用模式下達到電源效率最適化的目標。該公司稱，新推出的記憶體技術並結合Rambus自行研發的XDR記憶體架構、Tyrabyte頻寬創新、FlexPhas和Microthreading等關鍵技術。
Rambus產品行銷經理Rob Dhat指出，Rambus創新的記憶體架構能在兼顧電池壽命和成本優勢下，提升記憶體頻寬，此記憶體技術僅藉由三十二條資料傳輸頻道支援內建單一個動態隨機存取記憶體(DRAM)，即可達成12Gbit/s的傳輸速率；一般記憶體技術則需要三百八十四條資料傳輸頻道供應十二個DRAM才能完成，大幅縮減設計複雜度與成本。
Messegee表示，新發表的記憶體技術無製程技術限制，同樣的技術將可使用在NAND Flash領域，最重要的是可解決NAND Flash在耐用度(Endurance)方面的缺陷，這也是Rambus接下來跨入的重點市場，此外創新的記憶體技術授權將會在一年內提出，目標客戶群鎖定處理器與記憶體廠商，爾後並會再推出開發平台。 現階段DRAM從個人電腦主機被沿用至行動裝置領域，但該記憶體技術最為人所詬病的就是耗電量過高的問題，Messegee認為，記憶體廠商應專注於開發具差異化功能的產品，才能持續獲利，而Rambus此次發布的創新記憶體技術將是最好的範例，期許對既有的DRAM與Flash產業發生重大影響力。
該公司已於DesignCon 2009展場以矽測試載具(Silicon Test Vehicle)展示此創新行動記憶體技術。
