貿澤電子(Mouser Electronics)近日宣布與Analog Devices(ADI)和Bourns合作出版最新的電子書，探索氮化鎵(GaN)技術在追求效率、效能和永續性的過程中所面對的挑戰和擁有的優勢。
《10 Experts Discuss Gallium Nitride Technology》(10位專家談論氮化鎵技術)探討了GaN技術如何徹底改變電力電子技術，達到比矽更高的效率、更快的開關速度和更大的功率密度。GaN技術的優勢能對各個產業產生深遠的影響，從汽車和工業應用，再到消費性電子產品和再生能源。新電子書提供了來自ADI、Bourns和其他公司的專家見解，一探GaN的優勢、設計人員首次使用GaN可能面臨的挑戰，以及從矽移轉到GaN的最佳方法。電子書中也重點介紹了ADI和Bourns的相關產品，包括GaN控制器和驅動器、功率電感器等。
ADI LTC7890/1同步降壓控制器是一款高效能的降壓DC-DC開關穩壓控制器，透過最高100V的輸入電壓驅動N通道同步GaN場效電晶體(FET)功率級。與矽金屬氧化物半導體解決方案相比，這些裝置簡化了設計，而且不需要保護二極體或額外的外部元件。
LT8418是一款100V半橋GaN驅動器，整合了頂部和底部驅動器級、驅動器邏輯控制和保護功能。LT8418提供分離閘極驅動器來調整GaN FET的開啟和關閉迴轉率，因此能抑制振鈴並最佳化EMI效能。
由於GaN技術的高開關頻率，因此需要仔細選擇被動元件。Bourns提供了針對GaN的較高頻率最佳化的進階磁性元件，包括PQ扁平功率電感器、CWP3230A晶片電感器和TLVR1105T TLVR電感器，這些裝置具有低電感、高額定電流和低輻射的屏蔽結構。
Bourns HCTSM150102HL變壓器提供強化的隔離能力、15mm最小間隙/漏電距離，和7.64kV(2秒)的耐電壓，使其能提供更高等級的高電壓危險隔離能力。此變壓器採用鐵氧體環形磁芯結構，具有優異的耦合係數和效率。
