化合物半導體關鍵材料及設備研討會

化合物半導體的創新應用已成為未來半導體產業重要的成長契機，特別是以氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)為首的寬能隙材料，由於具備高頻、耐高溫、耐高壓與可實現更高功率密度等優異特性，可滿足全球5G/6G高頻通訊、汽車電氣化革命，及淨零碳排等趨勢發展需求，因而吸引各國業者競相投入。

不過，導入新材料，從來就不是一蹴可幾的任務，一方面材料的特性要夠穩定、可靠，才能運用在實際產品上，二來即便廠商願意為新材料帶來的效能突破而承擔更高的成本，其可接受的價格區間，也會被既有的矽元件錨定在一定範圍內。這兩個問題，正好各自是GaN與SiC元件在普及道路上所面臨的主要障礙-GaN的穩定度跟可靠度問題相對棘手，而SiC的材料成本則太過高昂。

因此，鑒於日本於半導體材料及設備領域之高度發展，本次活動隆重邀請日本化合物半導體產學專家，從多元觀點剖析GaN與SiC等化合物半導體之最新技術進展及前瞻市場應用，裨益國內業者厚植研發能量、拓展國際視野，提前部署關鍵材料與設備，促進產業高階技術人才發展。

議程內容

*主辦單位保留變更議程權利，議程變更恕不另行通知。

時間	議程內容	主講人
13:30~13:40	上線與開場
13:40~14:30	Semiconductor Lithography Systems evolution in response to Third-Generation Semiconductors 因應第三代半導體之光刻設備系統演變	Canon キヤノン株式会社光學設備事業本部半導體設備-主任研究員坂本憲稔 Sakamoto Noritoshi (講授語言日文-逐步口譯)
14:30~14:40	第一場 Q&A
14:40~15:30	Latest market and technology trend for SiC / GaN devices SiC / GaN 碳化矽/氮化鎵元件之市場新應用與技術趨勢	日本羅姆半導體(Rohm) 功率元件應用部-經理榎本晋文 Akifumi Enomoto (講授語言英文)
15:30~15:40	第二場 Q&A
15:40~15:50	中場休息
15:50~16:40	Recent progress of wide-gap semiconductor power devices 寬能隙半導體功率元件之最新進展	日本名古屋大學可持續性材料與系統研究所 (IMaSS)-特聘教授加地徹 Tetsu Kachi (講授語言英文)
16:40~16:50	第三場 Q&A
16:50	研討會結束

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3. 完成報名並繳費者若不克參加，可指派其他人參加，並請於活動前兩天通知主辦單位，恕不受理退費。

4. 確認收到繳款資訊後，主辦單位將於開課前一天以E-mail及簡訊寄發「線上會議室連結」，屆時請留意信箱及手機簡訊。

・如有活動相關疑問，請來信至：mem_service@hmg.com.tw或洽聯絡電話：02-25007022 #2315 林小姐。

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