HPC高速運算下新世代記憶體技術發展

AI、5G、IoT和工業4.0等發展讓資料量呈現爆炸式的成長，而這些資料都必須在邊緣收集，接著從邊緣到雲端進行多個層級的傳輸、處理、儲存和分析，以將大量的資料轉變為有價值的資訊。此一趨勢不僅帶來全新的運算需求，資料量的猛烈成長，對於高容量、高讀寫次數及更快讀寫速度的記憶體需求也明顯上升。因此，新興記憶體如磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)、鐵電隨機存取記憶體(FRAM)、電阻式隨機存取記憶體(RRAM)和相變隨機存取記憶體(PCRAM)等便相繼興起。各大記憶體業者也開始加快並投入更多資源開發新興記憶體，能突破既有運算限制的下世代記憶體將在未來扮演更重要角色。

與此同時，現有記憶體技術也持續推陳出新、改朝換代，包括eMMC、Serial NAND、DDR5/DDR6、第三代高頻寬記憶體(HBM3)等等，皆是為了滿足邊緣與雲端裝置高效能運算需求，在功耗、效能和面積成本效益等各方面不斷精進的成果，同樣值得業界高度關注。本次活動將邀請記憶體技術領域代表性業界與研究學者，分享HPC高速運算趨勢下重要的嵌入式記憶體技術最新發展，協助半導體、晶片設計與終端產品開發商提前布局研發，搶占市場成長先機。

議程內容

*主辦單位保留變更議程權利，議程變更恕不另行通知。

時間	議程內容	主講人
13:00~13:30	上線與開場
13:30~14:00	開啟AI應用新頁：先進記憶體架構變革趨勢	國立成功大學電機工程學系副教授盧達生
14:00~14:10	Q&A
14:10~14:40	迎合高速、低功耗、小尺寸需求，MRAM成AIoT記憶體應用新選擇	國立陽明交通大學材料科學與工程學系微電子所特聘教授兼副國際長曾院介
14:40~14:50	Q&A
14:50~15:20	MRAM記憶體技術與應用展望	Everspin APAC/Japan Region FAE 張紘偉
15:20~15:30	Q&A
15:30~16:00	新世代快閃記憶體在高速運算時代的挑戰與機會	群聯電子(Phison) 技術行銷經理楊凱翔
16:00~16:10	Q&A
16:10~16:40	新世代記憶體測試挑戰與解決方案	愛德萬測試(Advantest) Memory SE Dept. 張琛弼
16:40~16:50	Q&A
16:50~	問卷回填&散會

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3. 完成報名並繳費者若不克參加，可指派其他人參加，並請於活動前兩天通知主辦單位，恕不受理退費。

4. 確認收到繳款資訊後，主辦單位將於開課前一天以E-mail及簡訊寄發「線上會議室連結」，屆時請留意信箱及手機簡訊。

・如有活動相關疑問，請來信至：[email protected]或洽聯絡電話：02-25007022 #2315 林小姐。

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